Модуль полупроводникового лазера 4. ДЛ5. 27. Модуль полупроводникового лазера 4. ДЛ5. 27. Модуль полупроводникового лазера 4. ДЛ 5. 27 ЖГДК. 4. МПЛ предназначен для работы в составе герметизированной аппаратуры. Длинная сторона излучающей площадки МПЛ располагается параллельно длинной стороне контактной пластины 2. МПЛ 2 контактная пластина плюс питания МПЛОсновные технические данные. Параметры излучения и электрические параметры при приемке и поставке при нормальных климатических условиях по ГОСТ 2. Наименование параметра, единица измерения. Норма ТУ, не менее. Гост Рв 20.39.414.2 98 Скачать' title='Гост Рв 20.39.414.2 98 Скачать' />Норма ТУ, не более. Длина волны лазерного излучения, нм. Мощность импульса лазерного излучения, Вт. Длительность импульса излучения по уровню 0,5, нс. Частота повторения импульсов тока накачки, к. Действию специальных факторов 7И, 7С, 7К по ГОСТ РВ 20. И13Ус, 7И64Ус, 7И72 Рии НД J государственный военный стандарт ГОСТ РВ. ГОСТ РВ 20. 39. 414. Гц. 55. Масса излучателя, г. Размер излучающей площадки, мм. Предельно допустимое значение средней мощности импульса лазерного излучения при НКУ, Вт. Средняя мощность импульса лазерного излучения во всех условиях эксплуатации, Вт. Значения характеристик при воздействии механических и климатических факторов. МПЛ является стойким к внешним воздействующим факторам, соответствующих группе унифицированного исполнения 1. У по ГОСТ РВ 2. 0. Наименование и характеристики внешнего воздействующего фактора, единицы измерения. Значение. Синусоидальная вибрация диапазон частот, Гц. Акустический шум диапазон частот, Гц. Б1. 30. Механический удар одиночного действия пиковое ударное ускорение, мс. RlbGFub3VuYXMucnUvdXBsb2Fkcy82LzgvNjg2MTQ3MDQwNDU0NV9vcmlnLmpwZWc_X19pZD04MTI1Mg==.jpg' alt='Гост Рв 20.39.414.2 98' title='Гост Рв 20.39.414.2 98' />Механический удар многократного действия пиковое ударное ускорение, мс. Игру Video. Повышенная температура среды рабочая,. Требования стойкости к воздействию СФ 7. И с другими характеристиками, а также к воздействию факторов 7. С и 7. К не предъявляются. В составе герметизированной аппаратуры заказчика в режимах и условиях, допускаемых ЖГДК. ТУ, гаммапроцентная наработка до отказа МПЛ N.